Выращивание огурца в защищенном грунте
Огурец является основной культурой защищенного грунта. Его выращивают повсеместно в зимних, весенних теплицах, парниках, тоннелях, УРП-20 и бескаркасных пленочных укрытиях, а также под неткаными полимерными материалами. Сроки выращивания зависят от климатических условий и наличия теплиц или других сооружений.
В специальных сооружениях при оптимальных условиях микроклимата выращиваются партенокарпические сорта огурцов, урожайность при этом получают более 100 кг/м>2.
В зимних теплицах огурец выращивают в коротком обороте с декабря-января по конец июня или начало июля, в продленном – с декабря-января по конец октября-ноября, в переходном (в южных регионах) – с августа-сентября по июнь. При выращивании в переходном культурообороте возникает большая проблема с вредителями (особенно с белокрылкой, которая размножается в больших количествах в открытом грунте, а затем перелетает в теплицы).
При наличии технического обогрева пленочные теплицы под огурец используются с марта по октябрь. На солнечном обогреве – с мая по конец сентября, если их не использовали для выращивания рассады для открытого грунта. Если же вначале выращивали рассаду, то после ее выборки, в мае-июне. Парники на биотопливе используются с марта по август-сентябрь, УРП-20 и пленочные тоннели – с мая по сентябрь.
Важным моментом является правильный подбор сортов или гибридов для каждого срока выращивания и для каждого типа сооружений. Иногда делают большую ошибку, когда выбирают сорт или гибрид по урожайности, не обращая внимание на рекомендуемые сроки выращивания. Например, при посадке в зимний период сорта или гибрида, предназначенного для весенних сроков выращивания, может произойти вершкование растений, растения образуют большое количество женских цветков в верхних междоузлиях и заканчивают рост.
Рассаду огурца выращивают в питательных кубиках или горшочках, способствующих сохранению корневой системы и хорошей приживаемости рассады после посадки на постоянное место.
Для зимних теплиц при выращивании рассады применяют дополнительное облучение (освещение) лампами ДРЛФ-400 с удельной мощностью 300-400 Вт/м>2, используются также и другие типы ламп (натриевые, йодидные и др.); освещенность при этом должна быть не менее 5500-6000 лк. Адаптация ассимиляционного аппарата рассады происходит при изменении режима облучения во время расстановок.
